IPP12CN10L G參數(shù):MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
類別:分立半導體產品-FET - 單標準包裝:500系列:OptiMOS™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):69A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 69A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 83µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):58nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5600pF @ 50V功率 - 最大值:125W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應商器件封裝:PG-TO220-3